кремния оксид
КРЕМНИЯ ОКСИД SiO
устойчив в газообразном состоянии (SiOr) выше 1000 °C; для газа: C0p 29,901 Дж/(моль К), ΔH0обр −100,000 кДж/моль, S0296 211,489 Дж/(моль∙К). При быстром охлаждении SiO конденсируется в аморфный продукт SiOx-1, (плота. 2,15 г/см3) светло-коричневого цвета, реиспаряющийся в вакууме с послед. конденсацией аморфного SiOx (0<х[1), свойства которого определяются условиями реиспарения. При старении и отжигах SiOx распадается на кластеры из Si и SiO2, содержащие До 1020 см−3 парамагнитных центров. К. о. не имеет определенных температур плавления и кипения, ΔH0исп 240–380 кДж/моль. Оптич. свойства SiOx зависят от скорости конденсации, остаточного давления O2 и др. факторов; коэф. поглощения 0,02 (λ=700 нм)-0,20 (λ=400 нм); показатель преломления в видимой области 1,5–3,8. Структура SiOx удовлетворительно описывается моделью случайного распределения тетраэдров Si-SiyO4-y (у=1,2,3), статистич. веса которых зависят от величины х. При нагр. на воздухе К. о. частично окисляется; при 500 °C взаимод. с парами воды и CO2, выделяя соотв. H2 и СО; при 800 °C реагирует с Cl2, давая SiCl4. К. о. образуется при восстановлении SiO2 кремнием. С, H2, углеводородами, окислении Si при недостатке O2, диссоциации SiO2 выше 1800 °C. Газообразный К. о. обнаружен в газопылевых облаках межзвездных сред, на солнечных пятнах, в разреженных пламенах моносилана с O2, в продуктах взаимод. паров Si с N2O. К. о. — материал для изолирующих, защитных, пассивирующих, оптич. слоев в полупроводниковых устройствах, волоконной оптике. Слои наносятся напылением в вакууме, реактивным распылением Si в плазме O2. Образующийся при термич. окислении Si слой (между Si и пленкой SiO2) состава SiOx (0[х[2) толщиной до 1 нм определяет электрофиз. параметры структур SiO2-Si.
Лит.: Гельд П. В., Есин О. А., Процессы высокотемпературного восстановления. Свердловск. 1957; Sosman R. В., The phases of silica. New Brunswick, 1965, p. 7–10; Rockow E.G., The chemistry of silicon, Oxf.-[a.o.], 1975 (Pergamon texts hi inorganic chemistry, v. 9); Finster J, Schulze D, Meisel A, "Surface Science", 1985, v. 162, p. 671–79.
В. И. Белый
