бария оксид

БАРИЯ ОКСИД BaO

бесцветные кристаллы с кубич. решеткой (а = 0,5542 нм, пространственная группа Fm3m; плотн. 5,7 г/см³); при 23 °C и 9200 МПа превращ. в тетрагон, модификацию (а = 0,4459 нм, с = 0,3606 нм), при 14000 МПа — в тетрагональную др. типа (а = 0,4397 нм, с = 0,3196 нм, пространственная группа Р4/птп). Т. пл. 2017 °C; при нагр. возгоняется; C⁰_p 46,99 Дж/(моль∙К), уравнение температурной зависимости: C⁰_p = 48,117 + 11,527∙10⁻³Т — 3,896∙10⁵ 7⁻² + 2,083∙10⁻⁶Т² (298–2290 К); 424,3 кДж/моль, −548,0 кДж/моль, −520,5 кДж/моль; S⁰₂₉₈ 72,00 Дж/(моль∙К)), для газа 235,35 Дж/(моль∙К)); уравнение температурной зависимости давления пара над твердым BaO: 1gр(Па) = 10,99 — 19700/7(1200–1700 К). BaO — диамагнетик (-0,13∙10⁹). Теплопроводность 7,8–4,8 Вт/(м∙К) (80–1100 К). Растворимость (мол. %) при 1200 °C в расплавах солей: в NaCl-5,3, KCl — 3,4, Li₂SO₄ — 9,9, Na₂SO₄ — 7,6. Легко реагирует с водой, кислотами и CO₂. Получают BaO термич. разложением BaCO₃ при 700–900 °C или BaO₂ при 500–600 °C.

Прокаливанием BaO в парах Ba получают нестехио-метрич. оксиды Ва_1+хО — голубые кристаллы. Уравнения зависимости х от давления пара Ва: х(в мольных долях) = 1,51∙10⁻⁵ р^0.328 (в интервале давлений 4∙10⁻³ — 130 Па при 1473 К); х = 6,08∙10⁻⁵ р^1,075 (в интервале 130–4270 Па при 1473 К). Нестехиометрич. оксиды — компоненты твердых растворов (вместе с SrO и CaO), являющихся материалами оксидных катодов электронно-лучевых трубок, видиконов, фотоэлектрич. преобразователей тока и др. электронно-вакуумных устройств.

При нагр. BaO ок. 500 °C в среде O₂ получают пероксид BaO₂ — бесцветные кристаллы с гексаген, решеткой (а = =0,534 нм, с = 0,677 нм, пространственная группа 14/ттл); плотн. 4,96 г/см³; C⁰_p 66,94 Дж/(моль∙К), ΔH⁰_обр −623,0 кДж/моль; −575,27 кДж/моль; S⁰₂₉₈ 91,13 Дж/(моль∙К). Выше 500 °C разлагается с выделением O₂; взаимод. с H₂SO₄, образуя H₂O₂. BaO₂ — источник чистого O₂, компонент пиротехн. составов, отбеливатель для тканей, бумаги.

^{Лит.: Ковтуненко П. В., Xа риф Я. Я, "Успехи химии", 1979, т. 48, в. 3, с. 448–80.}

_{П. В. Ковтуненко}