вещества, электропроводность которых при комнатнойтемпературе имеет промежуточное значение между электропроводностьюметаллов (106 - 104 Ом-1 см-1) и диэлектриков (10-8 - 10-12 Ом-1 см-1).Характерная особенность полупроводников - возрастание электропроводности сростом температуры; при низких температурах электропроводностьполупроводников мала; на нее влияют и другие внешние воздействия: свет,сильное электрическое поле, потоки быстрых частиц и т. д. Высокаячувствительность электрических и оптических свойств к внешним воздействиями содержанию примесей и дефектов в кристаллах также характерна дляполупроводников. Все эти особенности и определяют их широкое применение втехнике (см. Полупроводниковые приборы). К полупроводникам относитсябольшая группа веществ (Si, Ge и др., см. Полупроводниковые материалы).Носителями заряда в полупроводниках являются электроны проводимости идырки (носители положительного заряда). В идеальных кристаллах онипоявляются всегда парами, так что концентрации обоих типов носителейравны. В реальных кристаллах, содержащих примеси и дефекты структуры,равенство концентраций электронов и дырок может нарушаться и проводимостьосуществляется практически только одним типом носителей. Полное описаниеприроды носителей заряда в полупроводниках и законов их движения дается вквантовой теории твердого тела (см. также Зонная теория).






Ссылка на выделенный текст