олова халькогениды

ОЛОВА ХАЛЬКОГЕНИДЫ

соед. олова с серой-SnS, SnS₂, Sn₂S₃, Sn₃S₄, с селеном-SnSe, SnSe₂, с теллуром-SnTe. Кристаллы; не раств. в воде и разб. минер. кислотах, раств. с разложением в конц. HNO₃, H₂SO₄, фтористоводородной кислоте, царской водке; SnS раств. также в конц. соляной кислоте и растворах полисульфидов щелочных металлов и аммония, SnS₂-B растворах сульфидов щелочных металлов и аммония. О. х. — полупроводники; свойства их представлены в таблице.

Моносульфид — 4,8∙10⁻⁴ К⁻¹.

^{СВОЙСТВА ХАЛЬКОГЕНИДОВ ОЛОВА}

таблица в процессе добавления

_{* Разлагается с образованием SnS2} и расплава.

Постепенно окисляется на воздухе до SnOS и SnO₂. В природе SnS-редкий минерал герценбергид.

Дисульфид SnS₂ при нагр. в вакууме разлагается на SnS и пары S; 10⁷ Ом∙см; полупроводник n-типа.

Моноселенид SnSe — нестехиометрич. соед., растворяет до 10⁻⁴ ат. % Se; существует в двух модификациях- α и 26 кДж/моль; температурный коэф. линейного расширения 12∙10⁻⁶ К⁻¹; полупроводник р-типа, эффективная масса дырок т_р = 0,15т₀, подвижность дырок 70–115 см²/(В∙с). Окисляется при нагр. до SnO₂.

Для диселенида SnSe₂: 51 кДж/моль; уравнение температурной зависимости давления пара lg p(Па) = = -9720/Т+ 14,18 (853–913 К); сублимируется с диссоциацией до SnSe и Se; кристаллы, выращенные из пара,-полупроводники n-типа, из расплава -р-типа; эффективная масса электронов т_е = 0,4т₀, подвижность дырок 80 см²/(В ∙ с) при 100 К, электронов 30 см²/(В∙с).

Теллурид SnTe — нестехиометрич. соед., растворяет 0,1–1,1 ат. % Те (600 °C); существует в двух модификациях; ниже −173 °C кубич. форма переходит в ромбоэдрическую; —2∙10⁻⁴ К.

Получают О. х. оглавлением простых веществ в вакуумир. ампулах или в инертной атмосфере, SnS₂-также сплавле-нием SnS и S; SnS — осаждением из водных растворов солей Sn(II) с H₂S в присутствии H₂SO₄, взаимод. расплавленного SnCl₂ с S. Монокристаллы и эпитаксиальные пленки выращивают хим. осаждением из газовой фазы, методами хим. транспортных реакций, монокристаллы — также направленной кристаллизацией из расплава.

О. х. — материалы для термоэлектрич. генераторов (SnTe), фоторезисторов (SnS, SnS₂, SnSe), фотодиодов (SnS, SnSe), переключателей в запоминающих устройствах ЭВМ (SnS₂, SnSe₂); в технике применяют SnSe и SnTe. SnS-также весовая форма при определении Sn²⁺ , катализатор полимеризации, используется для получения SnO₂; SnS₂-пигмент (имитатор золота, т. наз. сусальное золото) для "золочения" (дерева, гипса), весовая форма при определении Sn⁴⁺ ; твердые растворы SnSe PbSe — материалы ИК оптоэлектроники, лазерной техники.

^{Лит. см. при. ст. олово.}

_{В. П. Зломанов}