ЭЛЕКТРОН-ФОНОННОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ

Взаимодействие носителей заряда в тв. телах с колебаниями кристаллической решётки — фононами. При распространении колебаний в решётке происходит изменение её периода, что приводит к локальному изменению энергии носителей. Помимо этого деформац. механизма Э.-ф. в. возможны и другие. Так, в ионных кристаллах колебания решётки сопровождаются появлением у элементарной ячейки кристалла переменного дипольного электрич. момента, влияющего на поведение носителей. В металлах имеет место плазменный механизм, обусловленный электродинамич. вз-ствием эл-нов и ионов. В пьезоэлектриках деформация решётки сопровождается возникновением электрич. поля, что даёт дополнит. вклад в Э.-ф. в., к-рый в нек-рых случаях (напр., в области низких частот) может быть доминирующим. В кристаллах с большим значением диэлектрич. проницаемости e существенный вклад в Э.-ф. в. вносит электрострикция.

Э.-ф. в. обусловливает ряд специфич. явлений в тв. телах: 1) движение эл-нов в кристалле сопровождается движением поля деформации (см. ПОЛЯРОН); 2) эл-ны, испуская и поглощая фононы, переходят из одного состояния в другое; 3) в нек-рых особых случаях Э.-ф. в. приводит к появлению сверхпроводимости и др. Частный случай Э.-ф. в.— (см. АКУСТОЭЛЕКТРОННОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ).