СЕГНЕТОЭЛАСТИК

Диэлектрич. монокристалл, отдельные области к-рого (сегнетоэластические домены) отличаются разл. спонтанной деформацией крист. решётки относительно нек-рой исходной. Спонтанная деформация возникает при понижении темп-ры в результате фазового перехода из исходной (параэластической) фазы в менее симметричную сегнетоэластич. фазу, а разбиение кристалла на домены при этом соответствует минимуму упругой энергии кристалла. В отличие от линейно-упругих материалов (см. ГУКА ЗАКОН, УПРУГОСТЬ), зависимость деформации и С. от приложенного механич. напряжения s имеет вид петли гистерезиса, причём при нек-ром напряжении sc, наз. коэрцитивным, происходит переход кристалла в однодоменное состояние, сопровождающийся сменой знака спонтанной деформации.

Примерами С. явл. кристаллы KH3(SeO3)2 (темп-ра перехода в сегнетоэластич. состояние Tc=-61,6°С) и КО3(SеO2)2(Tс=+24°С); Nb3Sn и V3Si, DyVO4 и TbVO4, RbMnCl3. Нек-рые С. одновременно являются сегнетоэлектриками. С. перспективны для акустоэлектрич. и акустооптич. устройств (см. АКУСТОЗЛЕКТРОНИКА, АКУСТООПТИКА).