МОЛТЕРА ЭФФЕКТ

Эмиссия эл-нов в вакуум из тонкого диэлектрич. слоя на проводящей подложке при наличии сильного ' электрич. поля (106 В/см) в слое. Открыт амер. радиоинженером Л. Молтером (L. Malter) в 1936 в слое Al2O3+Cs2O на Al. Эмиссионный ток быстро растёт с ростом анодного напряжения. М. э. обусловлен наличием сильного электрич. поля в слое, что приводит к автоэлектронной эмиссии из подложки в слой, к «разогреву» эл-нов и к ударной ионизации в основной толще слоя. Основное падение напряжения сосредоточивается вблизи подложки. В результате часть быстрых эл-нов вылетает в вакуум. В пористых слоях М. э. обусловлен также лавинной ударной ионизацией, развивающейся в порах; эл-ны вылетают преим. из пор.