ИНВЕРСИОННЫЙ СЛОЙ

Область полупроводника у его поверхности, в к-рой равновесная концентрация неосновных носителей заряда больше, чем основных. И. с. возникает, когда поверхность ПП n-типа (р-типа) по отношению к объёму находится под достаточно большим отрицательным (положительным) потенциалом:

j>2kT/e|lnp0/n0|.

Здесь е — заряд эл-на, n0 и p0— концентрации эл-нов и дырок в объёме ПП. И. с. реализуется вблизи контакта ПП — металл, когда работа выхода металла превышает работу выхода ПП более чем на ширину запрещённой зоны ПП при наличии поверхностных состояний, захватывающих осн. носители. Если толщина И. с. меньше длины свободного пробега носителей, то в нём возможно образование квазидвухмерной проводимости (см. ДВУМЕРНЫЕ ПРОВОДНИКИ). Это приводит к изменению электрич. и оптич. св-в поверхностного слоя ПП.