ЗАПИРАЮЩИЙ СЛОЙ

Область в полупроводнике вблизи контакта с металлом или с ПП другого типа проводимости (см. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД), обеднённая осн. носителями. Толщина З. с. d в случае р — n-перехода равна:

где е — заряд эл-на, e — диэлектрич. проницаемость, U/к — контактная разность потенциалов, U — внеш. напряжение, n0 — концентрация эл-нов проводимости в n-области, р0 — концентрация дырок в р-области. Напр., для р — n-перехода в Si, где Uк=1В при n0=p0»1015, d=2 мкм. Для контакта металл — электронный ПП или металл — дырочный ПП d определяется по ф-ле (*), в к-рой положено p0<-n0 или p0->N0.