ГОМОПЕРЕХОД

В отличие от гетероперехода — контакт двух областей с разными типами проводимости или концентрациями легирующей примеси в одном и том же кристалле полупроводника. Различают p — n-переходы, в к-рых одна из двух контактирующих областей легирована донорами, а другая — акцепторами (см. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД), n+—n-переходы (обе области легированы донорной примесью, но в разл. степени) и p+—p-переходы (обе области легированы акцепторной примесью).