ВНУТРИКРИСТАЛЛИЧЕСКОЕ ПОЛЕ
Электрич. поле, существующее внутри кристаллов вследствие того, что на коротких (порядка межатомных) расстояниях поля, создаваемые положит. и отрицат. зарядами, не скомпенсированы. Реже В. п. называются также существующие внутри нек-рых кристаллов магн. поля. Для расчётов электрич. В. п. часто пользуются приближением точечных зарядов и диполей — ионы и молекулы, обладающие дипольным моментом, рассматриваются как точечные заряды или электрич. диполи, находящиеся в узлах крист. решётки. В. п. могут достигать напряжённости 108 В/см и более. Симметрия В. п. определяется гл. обр. симметрией кристалла. Величина и симметрия В. п. в данной точке кристалла зависит от деформаций, от наличия примесей, дефектов и от поляризации кристалла. В. п. непрерывно колеблется в небольших пределах относительно своего ср. значения благодаря колебаниям кристаллической решётки. Экспериментально электрич. В. п. исследуются оптическими и радиоспектроскопическими методами.
Значительные магн. поля возникают в кристаллах, содержащих парамагн. атомы. Они создают магн. поле, убывающее обратно пропорц. кубу расстояния от них (магн. диполи). Напр., магн. момент атомов переходных элементов создаёт в окружающем пр-ве (на расстояниях порядка межатомных) магн. поля, достигающие напряжённости магн. поля тысяч и даже десятков тысяч Э. Особый интерес представляют поля, создаваемые эл-нами на «собственном» ат. ядре, к-рые исследуются методами, основанными на ядерном магн. резонансе и Мёссбауэра эффекте.
Физический энциклопедический словарь