рентгенография
РЕНТГЕНОГРАФИЯ
совокупность методов исследования строения кристаллич. и аморфных веществ, основанных на изучении дифракции рентгеновских лучей. В Р. используют в осн. характеристич. рентгеновское излучение (см. рентгеновская спектроскопия); дифракц. картины регистрируют либо фотометодом, т. е. на рентгеновской пленке (рентгенограммы), или дифрактометрич. методом — с Помощью счетчиков ионизирующего излучения (дифрактограммы).
Рентгенографич. методы позволяют прецизионно измерять параметры кристаллич. решетки (см. рентгеновский структурный анализ), исследовать процессы образования и распада твердых растворов, устанавливать их тип и концентрацию, определять величины макронапряжений в изделиях, коэф. теплового расширения и их анизотропию, изучать процессы диффузии, исследовать фазовые диаграммы, определять в них границы растворимости фаз (см. рентгеновский фазовый анализ).
В поликристаллич. образцах методами Р. устанавливают размеры кристаллич. блоков, которые могут существенно влиять на разл. свойства материалов (напр., мех., магн., каталитич.). Размеры кристаллич. блоков более 0,1 мкм определяют по числу точечных дифракц. рефлексов на рентгенограмме, размеры блоков 0,1–1 мкм-по анализу интегральной интенсивности дифракц. пиков. Блоки размером менее 0,1 мкм вызывают уширение дифракц. пиков; их размеры определяют по полуширине профиля интенсивности дифракц. пика, или методом фурье-анализа распределения интенсивности в дифракц. пиках. Последний метод позволяет точнее определять также значения неориентир. микродеформаций и концентраций деформац. и двойниковых ошибок в периодичности расположения атомных слоев кристаллич. решетки. Анализ дифракц. картин дает сведения о процессах упорядочения в твердых растворах, позволяет оценить силы межатомного взаимодействия.
Условия получения и обработки поликристаллич. материалов часто обусловливают образование в них кристалло-графич. текстуры, т. е. преимуществ. ориентации в кристаллах кристаллографич. направлений и, следовательно, анизотропии свойств. Получение дифракц. картин от текстурир. образца при разл. углах его поворота и наклона по отношению к рентгеновскому лучу дает возможность построить т. наз. полюсную фигуру. Последняя позволяет установить распределение кристаллографич. направлений, определенным образом ориентированных (в т. ч. параллельно) относительно оси ориентировки-характерного для данного объекта направления.
Дефекты в кристаллич. решетках кристаллич. материалов (дислокации, ошибки упаковки и др.) изучают с помощью рентгеновской топографии, основанной на том, что дефектные и бездефектные области кристалла по-разному рассеивают рентгеновские лучи.
Анализ углового распределения интенсивности диффузного рассеяния рентгеновских лучей, обусловленного наличием ближнего порядка в расположении рассеивающих частиц, позволяет определять параметры ближнего порядка твердых растворов, дает сведения о внутри- и межмол. строении аморфных веществ.
Апериодич. флуктуация электронной плотности в материалах (напр., при наличии микропор в твердом теле) приводит к диффузному рассеянию рентгеновских лучей вблизи первичного луча. Анализ этого т. наз. малоуглового рассеяния позволяет определить размеры и форму пор, размеры дисперсных частиц, исследовать процессы старения твердых растворов и т. п.
Рентгенографич. методами исследуют образцы при их нагревании и охлаждении, в условиях вакуума и высокого давления и т. д.
Лит.: Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия, М., 1982.
В. Д. Крылов
Химическая энциклопедия