галлия арсенид
ГАЛЛИЯ АРСЕНИД GaAs
темно-серые с фиолетовым оттенком и металлич. блеском кристаллы, решетка кубическая типа сфалерита (а = 0,565321 нм); т. пл. 1238 °C; плота. 5,317 г/м3 (20 °C), жидкого 6,00 г/см3 (1238 °C); C0 46,9 Дж/(моль∙К);
Устойчив к кислороду воздуха и парам воды до ~600 °C, медленно реагирует с H2SO4 и соляной кислотой с выделением AsH3, под действием HNO3 пассивируется, растворами щелочей разлагается.
Получают GaAs сплавлением Ga с As под давлением паров As (ок. 100 кПа). Монокристаллы выращивают методами зонной плавки, направленной кристаллизации под давлением паров As или вытягиванием по Чохральскому из-под слоя флюса В2O3 под давлением Ar (150 кПа). Эпитаксиальные пленки, а также мелкокристаллич. GaAs получают путем хим. транспортных реакций с H2 в качестве газа-носителя, напр.:
4GaAs + 4HCl
при этом GaAs получают в горячей зоне (900 °C) по реакции:
2Ga + 2AsCl3 + 3H2 → 2GaAs + 6HCl
Используют также процесс Ga(C2H5)3 + AsH3 → GaAs + 3C2H6 (ок. 700 °C.
Пленки GaAs получают также из его растворов в расплавленном Ga. Для легирования монокристаллов и пленок используют добавки Те. Se, S, Sn, Zn, Cd, Ge. Монокристаллы с высоким р (108–109 Ом∙см) получают с использованием добавок Fe или Cr.
Г. а. — один из осн. полупроводниковых материалов для интегральных микросхем, фотоприемников, СВЧ- и фотодиодов, транзисторов, инжекционных лазеров, оптич. фильтров и модуляторов лазерного излучения, солнечных батарей и др.
Лит.: Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, под ред. Ф.П. Касаманлы и Д. Н. Наследова, М., 1973; М ильвидский М. Г., Пелевин О. В., Сахаров Б. А., Физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений. (На примере арсенида галлия), М., 1974.
П. И. Федоров
Химическая энциклопедия