Тензорезистивный эффект
Тензорезисти́вный эффект
Изменение удельного электросопротивления твёрдого проводника (металла (См. Металлы), полупроводника (См. Полупроводники)) в результате его деформации. Величина относительного изменения компонент тензора электросопротивления
Т. э. связан с изменением межатомных расстояний при деформации, что влечёт за собой изменение структуры энергетических зон кристалла. Последнее обусловливает изменение концентрации носителей тока (электронов проводимости, дырок), их эффективной массы, перераспределение их между энергетическими максимумами в зоне проводимости и минимумами в валентной зоне. Кроме того, деформация влияет на процессы рассеяния носителей (появление новых дефектов, изменение фононного спектра). Т. э. применяется в Тензодатчиках сопротивлений, служащих для измерения деформаций.
Лит.: Блатт Фр. Д ж., Физика электронной проводимости в твердых телах, пер. с англ., М., 1971; Киреев П. С., Физика полупроводников, М., 1969: Ильинская Л. С., Подмарьков А. Н., Полупроводниковые тензодатчики, М.— Л., 1966; Глаговский Б. А., Пивен И. Д., Электротензометры сопротивления, 2 изд., Л., 1972.
Б. А. Аронзон.
Большая советская энциклопедия