полупроводниковый прибор для регистрациичастиц и измерения их энергии. Представляет собой p-n-переход на основекристаллов Si или Ge. Величина сигнала в полупроводниковом детекторе можетбыть значительно больше, чем в ионизационной камере. Высокая подвижностьэлектронов и дырок обеспечивает малую (несколько нс) длительность сигналас полупроводникового детектора. Применяются как спектрометры ?-квантов итяжелых заряженных частиц.





Ссылка на выделенный текст