полупроводниковый лазер, в котором инверсиянаселенностей создается в результате инжекции электронов и дырок в областьp-n-перехода или гетероперехода под действием электрического поля. Имеетвысокий кпд и широкий диапазон рабочих частот, но невысокую когерентностьизлучения.





Ссылка на выделенный текст